半导体制造核心设备
国产化替代
薄膜沉积、3D立体封装、激光解键合...
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核心设备
Core equipment
介:核心技术: 独家专利设计的铝酸钠投药与流速设计,确保反应物均匀混合达成结晶反应; 即时监控氢氟酸废液浓度精准掌控投药时间与剂量,最大化反应效率; 独特的结晶体过滤系统,将氟离子过浓的混合液再导回至反应槽,让所排出的水体氟离子浓度最低  先进性: 无害化,氟离子去除率达95%以上; 形成结晶体反应性高,转换后的固体含水率可低于30%; 设备模组化,人机界面/自动模式操作,与客户原有系统高度兼容性;
On-site高浓度氢氟酸循环回收处理设备
介:九大独家: 客制化精密零件、自主研发、独家远端监控、双变频电控系统、人机触控界面、HOT N2功能模式、视觉灯效管理、6秒不断电UPS系统、关键数据趋势图  先进性: 干泵结构的优化设计以降低能耗; 零件采用特殊涂层,增加抗腐蚀能力; 新型冷却结构及内建热氮气吹扫功能模式
EMI防制PVD
简介:核心技术: 独家磁浮Carrier导轨结合特殊导流气体设计,降低微粒发生; 自主溅镀线体设计,掌控in-line 腔体设计核心 可调式进出片时序控制与防撞片监控系统,可配合不同使用规格需求客制化产能、膜厚搭配性。  先进性: 降温腔体设计,解除翘曲顾虑; 阴极靶材冷却设计,保证大功率长时间操作稳定性佳。
In-Line Sputter
简介:核心技术: 低温镀膜附着性与均匀性与3D立体镀膜技术; 激光金属电极化的稳定性与对准性技术; 低热效之激光与光路设计;   先进性: 正反两面同时镀膜的特殊腔体设计,保证工艺的稳定性 可实行温度控制,不会造成显示器特性的偏移; 独家Cathode与腔体的设计,正反两面同时镀膜的技术,保证侧边与正反两面镀膜厚度比例得以固定;
Side Wall Wiring
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